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STD12N65M2相關(guān)型號
ST熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • STD12N65M2

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 系列MDmesh? M2
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）8A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）500 毫歐 @ 4A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）16.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±25V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）535pF @ 100V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）85W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應商器件封裝DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

其它信息

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